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院副总经理王立出席英诺赛科(苏州)半导体芯片项目主厂房封顶仪式

发布时间:2019-09-06

        近日,由我院北京世源希达工程技术澳洲幸运8承接的英诺赛科(苏州)半导体芯片EPC总承包项目顺利完成主厂房封顶。
  苏州市市委市政府、吴江区区委区政府、汾湖高新技术产业开发区、中国半导体行业协会、英诺赛科公司以及建设单位、合作单位相关领导及嘉宾共同出席封顶仪式。我院副总经理、希达工程董事长王立,希达工程总经理刘奕、副总经理刘玥受邀出席,希达工程英诺赛科(苏州)项目部人员参加。
  活动期间,院副总经理、希达工程董事长王立代表院及希达工程公司致贺词,他对项目厂房的顺利封顶表示了热烈的祝贺,并对项目建设各方的努力表示感谢,他表示公司将会秉持服务客户至上的理念继续做好各项服务,保障项目的顺利高效实施,为建设一个高科技、现代化的项目而为之付出最大的努力,最后祝愿英诺赛科事业顺利发展,项目稳步推进。随后,王立与英诺赛科公司董事长骆薇薇博士进行了深入沟通和交流。
  英诺赛科(苏州)半导体芯片项目坐落于苏州市吴江区汾湖高新技术产业开发区,占地面积368亩,一期总投资60亿元。项目聚焦在第三代半导体材料氮化镓。项目主厂房的全面封顶,标志着施工整体进度达到了65%。按照建设计划,2020年第三季度通线投产,将成为一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。
  该项目建成后将被打造成为全球领先的8英寸硅基氮化镓量产基地,也是该领域全球首个大型量产基地,单月满产可达6-8万片,其生产的氮化镓功率器件、功率模块和射频器件,将全面助力新能源汽车、5G通信、人工智能、无线充电与快充、数据中心及激光雷达等行业高效、节能、绿色发展。